Generatore Terahertz della sorgente Terahertz di 140GHz Terahertz Descrizione del prodotto:

Terahertz Generator Terahertz e Terahertz Imaging Systems and Devices sono sviluppati da TERASENSE, una società statunitense che, utilizzando le nuove tecnologie, produce rivelatori di onde terahertz funzionanti a temperatura ambiente e generatori terahertz ad alta potenza per materiali semiconduttori. TeraSense terahertz source (diodo IMPATT) è un microonde altamente efficiente e dispositivo di generazione di onde Hertz Asia Pacifico. La loro gamma di frequenza operativa è di circa 3-400GHz e i loro principali vantaggi sono l'alta potenza di uscita e l'imballaggio compatto. I diodi IMPATT hanno una banda di frequenza operativa molto stretta, quindi le dimensioni interne del diodo devono essere progettate in base alla frequenza corrispondente. Inoltre, rispetto ad altri tipi di diodi a resistenza negativa a microonde, i generatori basati su IMPATT hanno il potenziale di raggiungere livelli di potenza di uscita più elevati. Il generatore IMPATT è stato inoltre dimostrato di essere una delle fonti di alimentazione ad alta frequenza e ad alta potenza più efficaci ed economicamente efficienti, con una lunga durata e funzionamento stabile e affidabile. Terasense offre ora una nuova generazione di sorgenti terahertz. Il diodo IMPATT aggiornato è dotato di un isolatore protettivo, migliorando significativamente la stabilità della potenza di uscita. E ora ci sono due opzioni tra cui scegliere i clienti: porta di uscita circolare e porta di uscita a forma di corno, che possono essere abbinati in modo flessibile con telecamere terahertz lineari e planari.

La sorgente terahertz della serie TeraSense (diodo IMPATT), nota anche come diodo a doppia deriva in silicio, ha un'area di trasmissione di 0,6 μ m ed è montata su un dissipatore di calore in rame. Gli strati di un diodo dual drift sono: regione pesantemente drogata (p+) - regione, regione moderatamente drogata (p+) - regione, regione moderatamente drogata n e regione pesantemente drogata (n+) - regione. Le regioni (p+) e (n+) - consentono il contatto elettrico ohmico con circuiti esterni. Questo dispositivo si basa sulla resistenza negativa per generare e mantenere oscillazioni. Quando la frequenza ottimizzata è 100GHz, la tipica potenza RF di uscita (rfpower) di questa sorgente terahertz può raggiungere 100mW. Ciò consente loro di essere utilizzati con moltiplicatori per ottenere frequenze nell'intervallo spettrale terahertz lontano.

Parametri tecnici:

• Frequenza operativa: ~140GHz
• Potenza RF di uscita:>30mW, 90 mW, 180 mW, 300 mW, 600 mW
• Potenza pixel dell'unità: 20uW
• Gamma dinamica: 24dB
• ottica THz: lente PTEE (rimovibile)

Caso di applicazione: