Fornire soluzioni professionali di misurazione del campo magnetico | ||||||
Strumento di misura del campo magnetico forte(0 - 20T) | ||||||
modello |
principio |
tipo |
numero di assi |
DCprecisione |
intervallo massimo |
Massima risoluzione |
X113 |
hall |
Sensore hall |
1 |
<> |
15T |
TC: 30ppm/K |
G80 |
hall |
palmare |
1 |
2% |
2T |
10 μT |
G81 |
hall |
palmare |
1 |
0.8% |
10T |
1μT |
G82 |
hall |
palmare-alta frequenza |
1 |
0.8% |
10T |
1μT |
G83 |
hall |
palmare |
3 |
0.8% |
10T |
1μT |
G92 |
hall |
palmare |
1 |
1% |
10T |
10 μT |
G93 |
hall |
palmare |
3 |
1%, 0.5% |
20T |
1μT |
G201 |
hall |
Computer desktop |
1 |
0.2% |
10T |
1μT |
G203 |
hall/riluttanza |
Computer desktop |
3 |
0.2% |
10T |
10nT |
G401 |
hall |
Computer desktop |
1 |
0.04% |
10T |
1μT |
G403 |
hall |
Computer desktop |
3 |
0.04% |
10T |
1μT |
GSP301A |
hall |
Trasmettitore analogico |
1 |
1%, 0.2% |
10T |
Uscita: ±3V |
GSP301D |
hall |
Trasmettitore digitale |
1 |
1%, 0.2% |
10T |
1μT |
GSP303D |
hall |
Trasmettitore digitale |
3 |
1%, 0.2% |
20T |
1μT |
GSP303D-S |
hall |
Trasmettitore digitale |
3 |
0.5%, 0.1% |
3T |
1μT |
Sistema di prova del campo magnetico | ||||||
GAS3000 |
Sistema di rilevamento del campo magnetico Array, rilevamento sincrono fino a128Il campo magnetico in una certa posizione |
|||||
GMS980 |
Sistema di taratura gaussiana ad alta precisione (Dispositivo di calibrazione del metro Tesla di alta precisione) |
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Strumento di misura del campo magnetico debole(0- 2mT) | ||||||
Campo magnetico debole Misuratore gaussiano | ||||||
modello |
principio |
tipo |
numero di assi |
DCprecisione |
intervallo massimo |
Massima risoluzione |
GMR61 |
riluttanza |
palmare |
1 |
0.8% |
600μT |
10nT |
GMR63 |
riluttanza |
palmare |
3 |
0.8% |
600μT |
10nT |
GF601 |
fluxgate |
palmare |
1 |
0.5% |
1mT |
0,1nT |
GF603 |
fluxgate |
palmare |
3 |
0.25% |
1mT |
0,1nT |
GF633 |
fluxgate |
Computer desktop |
3 |
0.1% |
100μT |
0,01nT |
GFP703 |
fluxgate |
Trasmettitori intelligenti |
3 |
0.5% |
1mT |
0,1nT |
GFP703S |
fluxgate |
Analizzatore di spettro |
3 |
0.5% |
1mT |
0,01nT |
GFP803 |
fluxgate |
Trasmettitori intelligenti |
3 |
0.2% |
1mT |
0,1nT |
Misurazione del campo magnetico di comunicazione(DC- 1MHz) | ||||||
modello |
principio |
tipo |
numero di assi |
ACprecisione |
intervallo massimo |
risposta in frequenza |
AMS-2K |
Bobina a corrente alternata |
Sensore analogico |
1 |
1% |
3mT |
30Hz-2kHz |
AMS-1M |
Bobina a corrente alternata |
Sensore analogico |
1 |
1% |
3mT |
2kHz-1MHz |
G1000 |
riluttanza |
Trasmettitori intelligenti |
3 |
DC- 1% AC- 2% |
400μT/ Asse |
DC- 1MHz |
GA1000 |
riluttanza |
palmare |
3 |
2% |
400μT/ Asse |
30Hz-1MHz |
GSP301HFA |
riluttanza |
Trasmettitore analogico |
1 |
1% |
150μT |
20 Hz-1,2 MHz |
GSP303HFA |
riluttanza |
Trasmettitore analogico |
1 |
1% |
150μT |
20 Hz-1,2 MHz |
sensore fluxgate | ||||||
modello |
principio |
tipo |
numero di assi |
livello sonoro |
intervallo massimo |
output |
F901 |
fluxgate |
Tipo economico |
3 |
da 10 a 20 pT |
1000 μT |
±10V,monoterminale |
F902 |
fluxgate |
basso rumore |
3 |
<> |
100μT |
±10V,monoterminale |
F903 |
fluxgate |
basso consumo energetico |
3 |
da 10 a 20 pT |
200μT |
±3V,differenza finita |
F904 |
fluxgate |
basso consumo energetico|basso rumore |
3 |
<> |
100μT |
±3V,differenza finita |
F905 |
fluxgate |
ad alte prestazioni|basso rumore |
3 |
<> |
100μT |
±10V,monoterminale |
F906 |
fluxgate |
basso consumo energetico |
3 |
da 10 a 20 pT |
100μT |
±3V,differenza finita |
F23 |
fluxgate |
tipo split|ampia gamma |
3 |
<> |
1500μT |
±10V,monoterminale |
F53 |
fluxgate |
Tipo ad alta temperatura |
3 |
≤ 300pT@175℃ |
100μT |
±5V,differenza finita |
Unità di acquisizione dati del sensore di flusso magnetico | ||||||
FDU301 |
Collegabile1Un sensore a tre assi del cancello di flusso |
|||||
ASA1000 |
Collegabile2-126Un sensore a cancello di flusso ad asse singolo o2-42Un sensore a tre assi del cancello di flusso |
|||||
AFS |
Sistema di rilevamento del sensore del cancello di flusso Array, in grado di collegare più trasmettitori di campo magnetico del cancello di flusso |
|||||
GMR-16 |
Micro array debole del sensore di campo magnetico, capace di acquisizione sincrona2-16Dati provenienti da un sensore di campo magnetico debole in miniatura |
|||||
GR100 |
Gradiometro digitale a tre assi per cancelli di flusso |
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osservazioni: 1Conversione di unità di campo magnetico:1T= 10kG; 1mT= 10G; 1μT= 10mG; 1nT= 10μG 2Clicca sul lato sinistro della tabella sopramodelloPuoi fare riferimento alle informazioni sul prodotto del modello corrispondente |
Features:
l Instrumentation Quality
l Excellent linearity error : 0.05%
l TC of sensitivity: 30ppm/K
l Max Range : 15T
Typical Applications
l Current and power measurement
l Magnetic field measurement
l Control of brushless DC motors
l Rotation and position sensing
l Misurazione del diaframma
The third-generation semiconductor gallium nitride (GaN) Hall sensor X113, built into a SMT package (SOT-143),has the characteristics of good temperature stability, high linearity and low noise, which is superior to the second-generation semiconductor gallium arsenide (GaAs) sensor technology.
Hall sensor X113 is outstanding for its excellent linearity error 0.05% and very low temperature coefficients 30ppm/K. While the sensor is operated with constant current, the outputhallvoltage is directly proportional to a magnetic field acting perpendicular to the surface of the sensor.
Maximum Ratings
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Operating temperature |
TA |
–40 ¼ +100 |
°C |
Storage temperature |
Tstg |
–60 ¼ + 130 |
°C |
Supply current |
I1 |
30 |
mA |
Thermal conductivity, soldered in air |
GthCGthA |
³ 2.2 ³ 1.5 |
mW/K mW/K |
Characteristics (TA= 25℃)
Parameter |
Condition |
MIN |
TYP |
MAX |
Unit |
Nominal supply current |
I1N |
20 |
30 |
mA |
|
Open-circuithall voltage I1 =I1N,B= 0,1 T |
V20 |
7.0 |
9.0 |
mV |
|
Ohmic offset voltage I1 =I1N,B= 0 T |
VR0 |
0.1 |
0.3 |
mV |
|
Active area (in the sensor center) |
0.07 |
mm2 |
|||
Linearity of Hall voltage B0.1 ¼ 20 T |
FL |
0.05 |
% |
||
Input resistance B0 T |
R10 |
60 |
75 |
W |
|
Output resistance B0 T |
R20 |
60 |
75 |
W |
|
Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage I1 =I1N, B05T |
TCV20 |
-30 |
ppm/K |
||
Temperature coefficient of the internal resistance B= 0 T |
TCR10, R20 |
0.08 |
%/K |
||
Temperature coefficient of ohmic offset voltage I1 =I1N, B0 T |
TCVR 0 |
1 |
4 |
μT/K |
|
Noisefigure |
F |
10 |
dB |
||
Range |
10 |
15 |
Tesla |
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