La rugosità superficiale dei wafer è fondamentale per determinare le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore. Per i più avanzati produttori di componenti, produttori di chip e fornitori di wafer, è necessario un controllo più preciso della rugosità per le superfici ultra piane dei fornitori di wafer fornendo qui di seguito0.5L'industria ha basso rumore e lo combina con la sua vera modalità senza contatto,Park NX-WaferÈ possibile ottenere una misura affidabile della rugosità del livello inferiore di Emmy con variazione minima della punta dell'ago,ParkLa cancellazione del crosstalk consente anche un'ortogonalità molto piattaXYLa scansione, senza curvatura dello sfondo, viene eseguita sulla superficie più piana in modo tempestivo e non c'è bisogno di considerare troppo posizione, velocità e dimensioni di scansione, il che lo rende molto accurato e riproducibile per misurare la rugosità di micro livello su superfici irregolari a lungo raggio. L'Intelligence di ParkerADRLa tecnologia fornisce il rilevamento e il riconoscimento completamente automatizzati dei difetti, consentendo la risoluzione di processi critici online con alta risoluzione3DClassificazione immagine dei tipi di difetti e identificazione delle loro fonti, intelligenteADRAppositamente progettato per fornire la soluzione di rilevamento dei difetti più avanzata per l'industria dei semiconduttori, con localizzazione automatica del target e la necessità di segni di riferimento densi che non danneggiano frequentemente i campioni.ADRIl processo è migliorato1000%Oltre alla produttività, Parker ha creativitàTrue-ContactmodalitàAFMLa tecnologia consente nuoviADRCapacità di migliorare20Durata della sonda più lunga.
Il microscopio a forza atomica Parker a basso rumore leader del settore, combinato con un tavolo scorrevole a lunga distanza, è diventato un profilatore di forza atomico per la metrologia meccanica chimica di lucidatura, un nuovo strumento a basso rumoreAFPFornisce la scansione dei contorni molto piatta per la misurazione dell'uniformità locale e completa, con la migliore precisione di scansione dei contorni e ripetibilità del mercato, garantendo misurazioni di alta precisione senza rimozione di fondo non lineare o ad alto rumore su un'ampia gamma di campi di contorno.
Principali caratteristiche tecniche
200 mmelettricoXYpiattaforma |
300 mmelettricoXYpiattaforma |
elettricoZpiattaforma |
L'itinerario è raggiungibile275mm x 200mm, 0.5 μmrisoluzione |
L'itinerario è raggiungibile400 mm x 300 mm, 0.5μmrisoluzione |
25 mm ZDistanza di percorrenza 0.08μmrisoluzione |
Piattaforma di messa a fuoco elettrica |
spessore del campione |
COGNEXriconoscimento delle immagini |
8mmviaggioZDistanza ottica assiale |
Spessore a20mm |
Risoluzione della correzione dell'immagine1/4 pixel |
200mmsistema |
300mmsistema |
Ambiente della domanda di attrezzature |
2732mm x1100mm x 2400 mm circa2110kg Spazio operatore:3300mm x 1950mm |
3486mm x 1450 mm x 2400 mm circa2950 kg Spazio operatore: 4770mm x 3050 mm |
temperatura ambiente10 ℃~40℃ operare18 ℃~24℃ umidità30%~60% |
funzione principale
1.Rilevazione automatica dei difetti di wafer e substrati
nuovo300mmRaggi XADRFornisce un processo completamente automatizzato di revisione dei difetti che include la trasformazione coordinata dalla mappatura dei difetti e la misurazione dei difetti corretti, nonché la scansione dell'ingrandimento, senza la necessità di wafer campione
Che segno,
2.Controllo della rugosità superficiale a livello Yaemi
Fornendo meno di0.5Il livello di rumore più basso del settore è raggiunto, consentendo una rugosità precisa, ripetibile e riproducibile del livello Yaemi sui substrati e wafer più piatti
Misurare la rugosità e ridurre al minimo la variazione della punta dell'ago, anche quando la dimensione della scansione raggiunge100Le lunghezze d'onda a lunga distanza di μ m x 100 μ m possono anche ottenere misurazioni superficiali altamente accurate e riproducibili
misura
3.CMPScansione di contorni a lungo raggio per caratterizzazione
Park NX Wafer raggiunge un successo senza precedentiCMPMisurazione, compresa indentazione, erosione e erosione eccessiva del bordo(EOE)Misurazione della planarità locale e locale.
applicazione
larghezza della lineamisura
super-liscioMisura della rugosità superficiale del materiale
Applicazione del rilevamento automatico dei difetti dei wafer
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